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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0367177 (1982-04-12) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 3 |
A photodetector useful at long wavelengths where silicon normally is transparent. It includes a photodiode stage which comprises a silicide layer forming a Schottky-barrier junction with a silicon substrate and which is integrated with an amplification stage which uses a silicon transistor adapted t
A photodetector comprising photovoltaic means and amplification means in which the photovoltaic means comprises a silicide layer forming a Schottky-barrier photosensitive junction with a portion of a silicon crystal for developing a photovoltaic signal voltage when light is incident on the photosens
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