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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0357866 (1982-03-15) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 4 |
A preferred embodiment of the invention is a three-gate charge-coupled device (CCD) which is designed to operate at cryogenic temperatures (circa 1-20°K). For an N channel device, a low-concentration N type material is separated from a P type substrate by a thin layer of intrinsic material. The acti
An extrinsic photon detector device comprising: a semiconductor substrate of a first conductivity type; a first layer of semiconductor material of a second conductivity type above said substrate; drain means defined within said first layer of semiconductor material of said second conductivity type,
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