[특허]SOS MOSFET With self-aligned channel contact

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-029/78 H01L-027/12
출원번호	US-0551186 (1983-11-14)
우선권정보	JP-0102290 (1980-07-25)
발명자 / 주소	Uchida Yukimasa (Yokohama JPX)
출원인 / 주소	Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha (JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 2

초록 ▼

A MOS type semiconductor device effectively supplying potential to a substrate region under the channel forming region of the MOS transistor on an insulating substrate. The potential is supplied to the one conductivity type substrate region under the channel forming region which is provided on an insulating substrate and has an extended portion extending in the channel length direction, through a substrate potential take-out region of one conductivity type connecting to the extended substrate. A gate electrode with an extended gate portion is formed on the substrate region through a gate insulating film, so as to cover the substrate region.

대표청구항 ▼

A MOS type semiconductor device comprising: an insulating substrate; a substrate region of one conductivity type provided on said insulating substrate, said substrate region positioned under a channel region, and said substrate region having an extended substrate portion extending in the channel length, which is the direction of current flow, away from said channel region; a source region of an opposite conductivity type which is provided in said insulating substrate, contacting one side surface of said substrate region under said channel region; a drain region of the opposite conductivity type which is provided on said insulating substrate, contacting the other side surface of said substrate region under said channel region, the pair of said source and drain regions being separately formed sandwiching said substrate region under the channel region and said extended substrate portion extending to one of said source and drain regions; a gate insulating film provided on said substrate region; a gate electrode provided on said gate insulating film so as to cover said substrate region, said gate electrode having an extended gate portion corresponding to said extended substrate portion of said substrate region; and a substrate potential takeout region of one conductivity type which is provided on said insulating substrate and is connected to said extended substrate portion of said substrate region, whereby potential may be applied to said substrate region under the channel region through said substrate potential take-out region.

이 특허에 인용된 특허 (2)

Kimura Takeji (Hirakata JA) Inoue Michihiro (Hirakata JA) Sato Masaharu (Moriguchi JA) Horiuchi Shiro (Neyagawa JA), MOS type semiconductor device.
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Cricchi James R. (Catonsville MD) Fitzpatrick Michael D. (Glen Burnie MD), Silicon on sapphire MOS transistor.
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이 특허를 인용한 특허 (11)

Lu Hsindao (Dallas TX), ESD protection for SOI circuits.
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Plus Dora (South Bound Brook NJ) Ipri Alfred C. (Hopewell Township ; Mercer County NJ), Edgeless semiconductor device.
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Yamaguchi Yasuo (Itami JPX) Kusunoki Shigeru (Itami JPX), MOS type field effect transistor formed on a semiconductor layer on an insulator substrate.
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Blake Terence G. W. (Dallas TX), Making a silicon-on-insulator transistor with selectable body node to source node connection.
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Fechner, Paul S.; Shaw, Gordon A.; Vogt, Eric E., Method of forming a body-tie.
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Bahraman Ali (Palos Verdes Estates CA), Radiation hardened CMOS on SOI or SOS devices.
상세보기
Hughes Arlen J. (Tustin CA) Strahan Virgil H. (Orange CA), Radiation-induced substrate photo-current compensation apparatus.
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Bryant, Andres; Mann, Randy W.; Stamper, Anthony K., SOI low capacitance body contact.
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Ohmi Tadahiro (No 2-1-17-301 ; Komegabukuro Sendai-shi ; Miyagi-ken JPX), Semiconductor integrated circuit.
상세보기
Ohmi Tadahiro (No. 2-1-17-301 Komegabukuro ; Sendai-shi ; Miyagi-ken JPX), Semiconductor integrated circuit.
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Sivan Richard D. (Austin TX), Transistor device with high density contacts.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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