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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0575611 (1984-01-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 68 인용 특허 : 3 |
A method for etching a batch of semiconductor wafers to end point using optical emission spectroscopy is described. The method is applicable to any form of dry plasma etching which produces an emission species capable of being monitored. In a preferred embodiment, as well as a first alternative embo
A method of etching a layer of material to end point, comprising the steps of: monitoring an intensity of emission of a species produced during an etching process; detecting a time at which a change in such intensity of emission occurs; calculating a time period extending in length from the time of
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