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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0460399 (1983-01-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 27 인용 특허 : 4 |
Dielectrically isolated single crystal silicon of high quality is produced by an extremely convenient process. This process involves the fusing of two silicon bodies where at least one of these bodies has a region of silicon oxide. The bodies are contacted so that the silicon oxide is at an interfac
A process for producing a dielectrically isolated silicon region comprising the steps of (1) contacting a first and second body so that a silicon oxide and OH moieties are present at the interface between said first and second body and fusing said first and second bodies, wherein said fusion is acco
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