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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0518110 (1983-07-28) |
우선권정보 | JP-0136244 (1982-08-06) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 22 인용 특허 : 11 |
A gas sensor is described which includes a layer of a sensitive material formed on an electric insulating substrate and spaced electrodes electrically connected to the layer. The layer is formed of a porous film of a uniform mixture which contains a p-type compound oxide semiconductor with a perovsk
In a gas sensor comprising a layer of a sensitive material formed on an electric insulative substrate and electrodes electrically connected to said layer of sensitive material, the improvement wherein said layer of sensitive material is formed of a porous film consisting of a uniform mixture which c
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