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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0466234 (1983-02-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 5 |
Improved thin film resistors and electrical devices and circuits with thin film resistors are fabricated utilizing a chromium, silicon, and nitrogen compound formed preferably by rf reactive sputtering of chromium and silicon in a nitrogen bearing atmosphere. An annealing step is used to produce tim
A process for fabricating a thin film resistor material on a surface of a substrate, comprising: exposing said surface to one or more sources of Cr, Si, and nitrogen; forming on said surface a thin film comprising a compound of Cr, Si, and nitrogen derived from said sources; annealing said thin film
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