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[미국특허] Hollow cathode sputter etcher 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-015/00
출원번호 US-0587123 (1984-03-07)
우선권정보 AU-0008365 (1983-03-09)
발명자 / 주소
  • Horwitz Christopher M. (Summer Hill AUX)
출원인 / 주소
  • Unisearch Limited (Kensington AUX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 21  인용 특허 : 3

초록

There is disclosed a dry process etching or deposition chamber which allows an improvement in process speed and control of directionality over prior art dry process chambers. The etching or deposition chamber is provided with a hollow cathode electrode comprising two parallel electrode surfaces whic

대표청구항

A dry process etching or deposition chamber comprising: a vacuum chamber enclosing two radio frequency electrodes, one of which is formed as a hollow cathode a source of radio frequency potential connected between said pair of electrodes; inlet means for introducing a gas into the vacuum chamber, wh

이 특허에 인용된 특허 (3) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Horwitz Christopher M. (Room 13-3061 ; M.I.T. ; 77 Massachusetts Ave. Cambridge MA 02139), Graded microstructured layers formed by vacuum etching.
  2. Henshaw William F. (Street MD) White John R. (Darlington MD) Niiler Andrus (Bel Air MD), Hollow cathode discharge source of metal vapor.
  3. Horwitz Christopher M. (Summer Hill AUX), Selective etching of aluminum.

이 특허를 인용한 특허 (21) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Bardos Ladislav,SEX ; Barankova Hana,SEX, Apparatus for generation of a linear arc discharge for plasma processing.
  2. Kitch, Vassili, Fabrication of copper-containing region such as electrical interconnect.
  3. Kitch,Vassili, Fabrication technique using sputter etch and vacuum transfer.
  4. Yokogawa, Ken'etsu; Miyake, Masatoshi, Heat treatment apparatus that performs defect repair annealing.
  5. Mintz Donald M. ; Hanawa Hiroji ; Somekh Sasson ; Maydan Dan ; Collins Kenneth S., High frequency semiconductor wafer processing apparatus and method.
  6. Cuomo Jerome J. (Lake Lincolndale NY) Kaufman Harold R. (Fort Collins CO) Rossnagel Stephen M. (White Plains NY), Hollow cathode enhanced magnetron sputter device.
  7. Bumble Bruce (Croton-on-Hudson NY) Cuomo Jerome J. (Lake Lincolndale NY) Logan Joseph S. (Poughkeepsie NY) Rossnagel Steven M. (White Plains NY), Hollow cathode enhanced plasma for high rate reactive ion etching and deposition.
  8. Paul Stephen McLeod, Hollow cathode sputter source.
  9. Rust Ray D. (Berkeley Heights NJ), Hollow cathode type magnetron apparatus construction.
  10. Mikalesen Donald J. (Carmel NY) Rossnagel Stephen M. (White Plains NY), Large area cathode lift-off sputter deposition device.
  11. Jones Fletcher (Ossining NY) Logan Joseph S. (Poughkeepsie NY), Low contamination RF sputter deposition apparatus.
  12. Cuomo, Jerome J.; Williams, N. Mark; Hanser, Andrew David; Carlson, Eric Porter; Thomas, Darin Taze, MIIIN based materials and methods and apparatus for producing same.
  13. Bardos, Ladislav; Barankova, Hana, Magnetron plasma apparatus.
  14. Cuomo, Jerome J.; Williams, N. Mark; Hanser, Andrew David; Carlson, Eric Porter; Thomas, Darin Taze, Method and apparatus for producing MIIIN columns and MIIIN materials grown thereon.
  15. Rickerby David S,GBX, Method of applying a coating to a metallic article and an apparatus for applying a coating to a metallic article.
  16. Cuomo, Jerome J.; Williams, N. Mark, Non-thermionic sputter material transport device, methods of use, and materials produced thereby.
  17. Drage David J. (Sebastopol CA), Plasma Reactor with removable insert.
  18. Sato Masaaki (Kanagawa JPX) Arita Yoshinobu (Kanagawa JPX), Plasma etching apparatus.
  19. Donohoe, Kevin G., Plasma reactor.
  20. Collins Kenneth S. ; Roderick Craig A. ; Trow John R. ; Yang Chan-Lon ; Wong Jerry Yuen-Kui ; Marks Jeffrey ; Keswick Peter R. ; Groechel David W. ; Pinson ; II Jay D. ; Ishikawa Tetsuya,JPX ; Lei La, Process used in an RF coupled plasma reactor.
  21. Benzing David W. (San Jose CA), Troide plasma reactor with magnetic enhancement.

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