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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0599702 (1984-04-12) |
우선권정보 | SE-0002207 (1983-04-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 4 인용 특허 : 1 |
A process for the production of silicon nitride by reaction of silicon dioxide, carbon and nitrogen at temperatures above about 1300°C. whereby a partial pressure of nitrogen above 1 bar is maintained during the reaction.
A process for the production of silicon nitride by reaction of silicon dioxide, carbon and nitrogen under heat supply in an endothermic process at temperatures in the raw material mixture above 1300 degrees centigrade, comprising the steps of maintaining a nitrogen partial pressure above 5 bars duri
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