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Sintered aluminum nitride and semi-conductor device using the same 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C04B-035/58
출원번호 US-0373150 (1982-04-29)
우선권정보 JP-0066376 (1981-04-30)
발명자 / 주소
  • Takeda, Yukio
  • Ogihara, Satoru
  • Ura, Mitsuru
  • Nakamura, Kousuke
  • Asai, Tadamichi
  • Ohkoshi, Tokio
  • Matsushita, Yasuo
  • Maeda, Kunihiro
출원인 / 주소
  • Hitachi, Ltd.
대리인 / 주소
    Antonelli, Terry & Wands
인용정보 피인용 횟수 : 28  인용 특허 : 1

초록

Sintered aluminum nitride having a high thermal conductivity, which comprises at least 65% by weight of aluminum nitride, and at least one of beryllium, a beryllium compound, lithium and a lithium compound, and a semi-conductor device using the same.

대표청구항

1. Sintered aluminum nitride having a thermal conductivity at room temperature of 0.2 cal/cm.sec.°C. or higher, which consists essentially of at least 65% by weight of aluminum nitride and at least one of beryllium, beryllium compound, lithium and lithium compound. 2. The sintered aluminum nitride a

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. Ochiai Toshihiko (Yokohama JA) Hirano Mitsutoshi (Yokohama JA) Inoue Hiroshi (Kawaguchi JA), Pump member for molten metal.

이 특허를 인용한 특허 (28)

  1. Nagase, Toshiyuki; Nagatomo, Yoshiyuki; Kubo, Kazuaki; Negishi, Takeshi, Al/AlN joint material, base plate for power module, power module, and manufacturing method of Al/AlN joint material.
  2. Dole Stephen L. (Burnt Hills NY) Arendt Ronald H. (Schenectady NY) Pasco Wayne D. (Scotia NY), Alkaline earth fluoride additive for sintering aluminum nitride.
  3. Sato Hideki (Yokohama JPX) Mizunoya Nobuyuki (Yokohama JPX), Aluminum nitride circuit substrate.
  4. Kobayashi Hiromichi,JPX ; Bessho Yuki,JPX ; Mori Yukimasa,JPX, Aluminum nitride sintered bodies.
  5. Washizuka Syoichi (Yokohama JPX) Watanabe Masayuki (Yokohama JPX) Yashiro Sadao (Tokyo JPX) Nakanishi Masae (Chigasaki JPX), Apparatus for manufacturing compound semiconductor single crystal.
  6. Kobayashi Hiromichi,JPX ; Bessho Yuki,JPX ; Mori Yukimasa,JPX, Apparatus for producing semiconductor using aluminum nitride bodies as substrates.
  7. Kuratani Shusei (Nagoya JPX) Uno Kohichi (Nagoya JPX) Mizuno Shinya (Seto JPX) Sakuramoto Hisashi (Nagoya JPX) Nishiyama Satoshi (Nagoya JPX), Black sintered body of aluminum nitride and process for producing the same.
  8. Okuno Akiyasu (Kani JPX) Watanabe Masakazu (Nagoya JPX) Ikoma Kazuhiko (Komaki JPX), Composite layer aluminum nitride base sintered body.
  9. Okuno Akiyasu (Kani JPX) Watanabe Masakazu (Nagoya JPX) Ikoma Kazuhiko (Komaki JPX), Composite layer aluminum nitride base sintered body.
  10. Kuramoto Nobuyuki (Sagamihara JPX) Takada Kazuya (Tokyo JPX) Numata Yoshihiko (Fujisawa JPX), Composite nitride sintered body.
  11. Bardhan Pronob (Corning NY) Merkel Gregory A. (Painted Post NY), Dense sintered bodies of nitride materials.
  12. Sato Hideki (Yokohama JPX) Mizunoya Nobuyuki (Yokohama JPX), Electronic apparatus having semiconductor device.
  13. Kuwabara Mitsuo,JPX, Functionally gradient integrated metal-ceramic member and semiconductor circuit substrate application thereof.
  14. Huseby Irvin C. (Schenectady NY) Bobik Carl F. (Burnt Hills NY), High thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride.
  15. Huseby Irvin C. (Schenectady NY) Bobik Carl F. (Burnt Hills NY), High thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride.
  16. Willkens, Craig Andrew; Fernandez, Frederick Taylor, Hot surface igniters and methods of making same.
  17. Harris Jonathan H. ; Youngman Robert A. ; Shinde Subhash L. ; Herron Lester W. ; Fasano Benjamin V., Low temperature sintered, resistive aluminum nitride ceramics.
  18. Asai Hironori (Kanagawa-ken JPX) Sugiura Yasuyuki (Kanagawa-ken JPX), Metallized aluminum nitride substrate.
  19. Kurokawa Yasuhiro (Tokyo JPX) Utsumi Kazuaki (Tokyo JPX) Takamizawa Hideo (Tokyo JPX), Method for preparing aluminum nitride ceramics having superior thermal conductivities.
  20. Huseby Irvin C. (Schenectady NY) Bobik Carl F. (Burnt Hills NY), Pressureless sintering process to produce high thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride.
  21. Huseby Irvin C. (Schenectady NY) Bobik Carl F. (Burnt Hills NY), Pressureless sintering process to produce high thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride.
  22. Inoue Hiroshi (Kawaguchi JPX) Tsuge Akihiko (Yokohama JPX) Komeya Katsutoshi (Oiso JPX), Process for production of readily sinterable aluminum nitride powder.
  23. Huseby Irvin C. (Schenectady NY) Bobik Carl F. (Burnt Hills NY), Process of pressureless sintering to produce dense high thermal conductivity ceramic body of deoxidized aluminum nitride.
  24. Dole Stephen L. (Burnt Hills NY) Arendt Ronald H. (Schenectady NY) Pasco Wayne D. (Scotia NY), Rare earth fluoride additive for sintering aluminum nitride.
  25. Ogura Atsushi (Tokyo JPX) Egami Koji (Tokyo JPX), Semiconductor device.
  26. Mizuno Shinya (Seto JPX) Kuratani Shusei (Nagoya JPX) Uno Kohichi (Nagoya JPX) Sakuramoto Hisashi (Nagoya JPX) Nishiyama Satoshi (Nagoya JPX), Sintered body of aluminum nitride.
  27. Iio Satoshi (Nagoya JPX) Okuno Akiyasu (Nagoya JPX), Surface structure of A1N substrate and a process for producing the same.
  28. Iio Satoshi (Nagoya JPX) Okuno Akiyasu (Nagoya JPX), Surface structure of AlN substrate and a process for producing the same.
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