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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0486514 (1983-04-19) |
우선권정보 | JP-0064685 (1982-04-20) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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대리인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 6 |
A two-dimensional X-ray detecting apparatus is comprised of an amorphous silicon layer for trapping electrons in a pattern corresponding to an intensity distribution when it is receiving X-rays, and a scanning device for scanning the surface of the amorphous silicon layer with a laser beam to take o
1. A two-dimensional X-ray detecting apparatus comprising: a substrate; two-dimensional radiation detecting means containing an electron trapping layer laminated on said substrate and made of material to trap the number of electrons proportional to an amount of radiation in a trap level in a for
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