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Silicon carbide refractories having modified silicon nitride bond 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C04B-035/56
출원번호 US-0573076 (1984-01-23)
발명자 / 주소
  • Campos-Loriz Diego (Niagara Falls NY)
출원인 / 주소
  • Kennecott Corporation (Cleveland OH 02)
인용정보 피인용 횟수 : 8  인용 특허 : 4

초록

A refractory that is highly resistant to sequential steam oxidation and molten alkali attack is formed by reaction nitriding a mixture of silicon carbide grain, silicon metal and aluminum metal. The refractory is suitable as a blast furnace lining.

대표청구항

A bonded silicon carbide article consisting essentially of granular silicon carbide and a bond phase, said article being made by a process consisting essentially of: (a) forming a uniform mixture consisting essentially of from about 4 to about 8 percent aluminum powder, from about 10 to about 16 per

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Mori Masaaki (Okazaki JPX) Ogawa Tamotu (Kariya JPX) Takai Norihira (Yokohama JPX), b 상세보기
  • Schwetz Karl A. (Sulzberg DEX) Lipp Alfred (Bad Worishofen DEX), Dense sintered shaped articles of polycrystalline a 상세보기
  • Brown Wendel G. (Broomfield CO), Method for manufacturing silicon carbide bodies.
  • Petrak Daniel R. (Lynchburg VA) Winkelbauer Howard M. (West Mifflin PA) Kleeb Thomas R. (Pittsburgh PA) Wang Ke-Chin (Upper St. Clair PA), Refractory.
  • 이 특허를 인용한 특허 (8)

    1. M. Thierry Vandamme FR, Device for releasing with delayed effect an active substance, in particular veterinary.
    2. Schoennahl Jacques Paul Raymond,FRX ; Bitouzet Jean-Philippe Marie,FRX, Materials formed by refractory grains bound in a matrix of aluminum nitride or sialon containing titanium nitride.
    3. Kishi Kazushi (Saga JPX) Umebayashi Seiki (Saga JPX) Tani Eiji (Saga JPX) Kobayashi Kazuo (Saga JPX), Process for producing high strength b 상세보기
  • Richter Hans-Jurgen,DEX ; Schober Reiner,DEX ; Putzky Gerhard,DEX ; Konig Gert,DEX, Process for producing refractory materials.
  • Gadkaree, Kishor P.; Mach, Joseph F.; Stempin, John L., Process for producing silicon carbide bodies.
  • Kim Baek H. (North Brunswick NJ), Raw batch for producing reaction-bonded silicon carbide refractory product.
  • Kinoshita,Toshiharu; Komiyama,Tsuneo, SiC refractory comprising silicon nitride bond thereto and method for production thereof.
  • Winkelbauer Howard M. (McKeesport PA) Wang Ke-Chin (Pittsburgh PA), Silicon nitride bonded magnesia refractory and method.
  • 문의처: helpdesk@kisti.re.kr전화: 080-969-4114

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