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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0349472 (1982-02-17) |
우선권정보 | JP-0076697 (1981-02-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 1 인용 특허 : 2 |
The disclosed negative ion source uses a solid-state element having a semiconductor portion, which source includes a region adapted to dissociate molecules of hydrogen or deuterium in said solid-state element by dissolution, another region adapted to convert the atoms generated through the dissociat
A method of generating negative ions comprising the steps of: providing for a solid-state element; dissociating hydrogen or deuterium molecules in one region at one end of said solid-state element by dissolution; generating a plurality of electrons in another region of said solid-state element; prov
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