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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0718987 (1985-04-02) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 1 |
Crystalline compound semiconductors are passivated with a layer of the most volatile element thereof to prevent the formation of oxides that would interfere with further processing. A GaAs crystal is provided with a surface layer of arsenic. The arsenic layer is formed by exposure to light having a
The method of providing intermediate processing passivation for a monocrystalline multielement compound semiconductor member comprising in combination the steps of: immersing said semiconductor member in a bath of 1:1 HCl:H2O while illuminating said multielement semiconductor member for a duration o
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