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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0678854 (1984-12-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 106 인용 특허 : 1 |
A thin film photovoltaic device having first layer of copper indium selenide, a second layer of cadmium sulfide having a thickness less than 2500 angstroms, and a third layer of conducting wide bandgap semiconductor such as zinc oxide. The transparent third layer allows good transmission of blue lig
A thin film photovoltaic device comprising a first layer of copper indium diselenide p-type semiconductor, a second layer in overlying contact with said first layer and formed of n-type cadmium sulfide semiconductor having a thickness of less than 2500Å, and a third layer in overlying contact with s
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