[특허]Etching plasma generator diffusor and cap

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	B23K-009/00 H01L-021/306
출원번호	US-0651192 (1984-09-14)
발명자 / 주소	Sharp-Geisler Bradley A. (San Jose CA)
출원인 / 주소	Monolithic Memories, Inc. (Santa Clara CA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 5

초록 ▼

A plasma generator includes a cap (20) having a sintered porous aluminium cuttings diffusor disc (28) spaced from the underside of a horizontal apertured top of the cap to prevent arcing therebetween and formation of a plasma plume affecting the wafer being etched. A plasma zone of reactive gases is formed between the cap and the wafer by rf energy. Process gases are conducted through cap top apertures (26) to the zone and the resultant plasma etches the semiconductor wafer spaced in parallelism from the cap top. Arcing between the metal diffusor and the metal cap is prevented by a ledge (27) on the cap interior periphery forming a gap between the bottom surface of the cap top and top surface of the diffusor. Etching or sputtering of the cap is also prevented by increasing the surface area of the apertures in the cap top to prevent ions from gaining a level of kinetic energy greater than the sputter threshold energy. This is done by increasing the number, changing the pattern and increasing the diameter of the apertures in the cap top as well as the thickness of the cap top, the latter increasing the height of the apertures. In the perferred embodiment, a central portion of the apertured cap is indented so as to provide for uniform etching across the width of the juxtaposed wafer by lessening the power density at a central location of the wafer.

대표청구항 ▼

In a plasma generator wafer-etching machine having an rf emitting electrode, semiconductor wafer-mounting chuck spaced from said emitting electrode forming a plasma reaction zone therebetween and wherein said emitting electrode includes a cap having multiple apertures and a gas diffusor within said cap, a top surface of said cap bounding one side of said zone and wherein said apertures are positioned to receive and convey an etching gas to said zone, the improvement comprising: means operable at a given dark dspace thickness including a predetermined RF power level and a predetermined pressure of etching gas and including having said apertures of sufficient surface area for permitting a plasma sheath resultant from plasma formed in said zone to extend into said apertures from said zone while preventing extension of the plasma sheath from said cap to said diffusor; and means for reducing sputtering of said cap by providing that said apertures are of such diameter and depth such that the plasma sheath area adjacent to the cap is maximized.

이 특허에 인용된 특허 (5) 인용/피인용 타임라인 분석

Hiraoka ; Hiroyuki, Electro-lithography method.
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Gorin Georges J. (Emeryville CA), Method for process control of a plasma reaction.
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Keller John H. (Newburgh NY) McKenna Charles M. (Fishkill NY), Negative ion extractor for a plasma etching apparatus.
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Mundt Randall S. (Houston TX) Wooldridge Timothy A. (Missouri City TX) Blasingame Thomas O. (Houston TX), Plasma etching using improved electrode.
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Gut George M. (Rochester MN) Monahan Steven E. (Rochester MN), Anode plate for a parallel-plate reactive ion etching reactor.
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Kilpela, Olli; Saanila, Ville; Li, Wei-Min; Elers, Kai-Erik; Kostamo, Juhana; Raaijmakers, Ivo; Granneman, Ernst, Atomic layer deposition reactor.
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Dornfest Charles N. ; White John M. ; Bercaw Craig A. ; Tomosawa Hiroyuki Steven ; Fodor Mark A., Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous envi.
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Dornfest Charles N. (Fremont CA) White John M. (Hayward CA) Bercaw Craig A. (Sunnyvale CA) Tomosawa Hiroyuki Steven (San Jose CA) Fodor Mark A. (Los Gatos CA), Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous envir.
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Degner, Raymond L.; Lenz, Eric H., Composite electrode for plasma processes.
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Blackburn Greg (San Jose CA) Kava Joseph (San Jose CA) McGovern Richard (San Jose CA) Rozenzon Yan (San Jose CA), Contaminant reduction improvements for plasma etch chambers.
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Blackburn Greg ; Kava Joseph ; McGovern Richard ; Rozenzon Yan, Contaminant reduction improvements for plasma etch chambers.
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Fangli Hao ; Rajinder Dhindsa, Gas distribution apparatus for semiconductor processing.
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Koulik,Pavel; Petrov,Evguenii; Ivanov,Mark, Method of producing powder with composite grains and the device for carrying out said method.
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Raisanen, Petri; Marcus, Steven, Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures.
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Szettella Joseph Mitchell ; Ozee Jeffrey Eugene ; Gonzales Augusto James ; Tucker Bryan Cary, Style gas ring with a guard extension.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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