[특허]Method for growing multicomponent compound semiconductor crystals

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Method for growing multicomponent compound semiconductor crystals 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C30B-017/00
출원번호	US-0652239 (1984-09-19)
우선권정보	JP-0171174 (1983-09-19); JP-0011090 (1984-01-26)
발명자 / 주소	Nakajima Kazuo (Kawasaki JPX)
출원인 / 주소	Fujitsu Limited (Kanagawa JPX 03)
인용정보	피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 2

초록 ▼

A method and apparatus for growing crystals of a more than three multicomponents compound semiconductor from its growth solution in which a source material containing at least one solute element is immersed and dissolved in the growth solution by conducting DC electric current from a current supplying electrode immersed in the growth solution through the growth solution to the source material, and thus a desired composition of the growth solution can be constantly maintained. As a result, the composition of the grown crystals of the multicomponents compound semiconductor can be also controlled to a desired proportion.

대표청구항 ▼

A method for growing crystals of a three or more multicomponent compound semiconductor from its growth solution on a seed crystal or substrate, which method comprises providing a growth solution containing a seed crystal or substrate, immersing a source material containing at least one element which is essential to complete said compound semiconductor in said growth solution, immersing a current supplying electrode in said growth solution, and growing crystals of said three or more multicomponent compound semidconductor from said growth solution on said seed crystal or substrate while dissolving said source material in said growth solution by conducting controlled DC electric current from said current supplying electrode through said growth solution to said source material, thereby constantly maintaining a desired composition of said growth solution during the crystal growth step.

이 특허에 인용된 특허 (2)

Terashima Kazutaka (Ebina JPX) Fukuda Tsuguo (Yokohama JPX), Method for manufacture of III-V compound semiconducting single crystal.
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Shimano Akio (Takatsuki JPX) Takagi Hiromitsu (Muko JPX), Method of making semiconductor device.
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이 특허를 인용한 특허 (11)

Fleurial Jean-Pierre ; Caillat Thierry F. ; Borshchevsky Alexander, Advanced thermoelectric materials with enhanced crystal lattice structure and methods of preparation.
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Watanabe Masahito,JPX ; Eguchi Minoru,JPX, Apparatus for growing a semiconductor crystal.
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Minemoto, Hisashi; Kitaoka, Yasuo; Kidoguchi, Isao; Mori, Yusuke; Kawamura, Fumio; Sasaki, Takatomo; Umeda, Hidekazu; Takahashi, Yasuhito, Apparatus for production of crystal of group III element nitride and process for producing crystal of group III element nitride.
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Fleurial Jean-Pierre (Pasadena CA) Caillat Thierry F. (Pasadena CA) Borshchevsky Alexander (Santa Monica CA), High performance thermoelectric materials and methods of preparation.
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Harman Theodore C., Lead-chalcogenide superlattice structures.
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Ivantzov, Vladimir; Sukhoveev, Vitaliy; Dmitriev, Vladimir, Method of manufacturing GaN ingots.
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Fleurial Jean-Pierre ; Caillat Thierry F. ; Borshchevsky Alexander, Semiconductor apparatus utilizing gradient freeze and liquid-solid techniques.
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Dresselhaus Mildred S. ; Harman Theodore C. ; Cronin Stephen B. ; Koga Takaaki ; Sun Xiangzhong ; Wang Kang L., Si/SiGe superlattice structures for use in thermoelectric devices.
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Theodore C. Harman ; Mildred S. Dresselhaus ; David L. Spears ; Michael P. Walsh ; Stephen B. Cronin ; Xiangzhong Sun ; Takaaki Koga, Superlattice structures for use in thermoelectric devices.
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Harman Theodore C., Superlattice structures particularly suitable for use as thermoelectric materials.
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Doke Michael J. (Dallas TX), Thermoelectric apparatus for use with multiple power sources and method of operation.
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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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