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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0740945 (1985-06-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 71 인용 특허 : 2 |
A photoconductive device of decreased resistivity is provided by using at least one zinc oxide transparent conductive layer in conjunction with a thin film amorphous silicon photoconductor. The zinc oxide layer can be used as the front contact, the back contact or both the front and back contacts of
In a photoconductive device comprising a thin film silicon hydrogen alloy (TFS) photoconductor and front and back contacts, the improvement which comprises at least one of said front and back contacts being a transparent conductive layer consisting essentially of zinc oxide or zinc oxide containing
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