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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0647769 (1984-09-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 8 |
The gated Transmission Line Model (GTLM) structure is a novel characterization device and measurement tool for integrated circuit process monitoring. This test structure has Schottky gates between the ohmic contacts of a TLM pattern. The gate lengths are varied and the gate-to- ohmic separations are
A gated transmission line model TLM pattern for use in field-effect transistor characterization, comprising: a semiconductor substrate having a major surface which has a conducting channel of uniform width formed into and along a region on said surface; a plurality of at least four spaced ohmic cont
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