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Dry etching method of compound semiconductor 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/306
  • B44C-001/22
  • C03C-015/00
  • C03C-025/06
출원번호 US-0664965 (1984-10-26)
우선권정보 JP-0224077 (1983-11-30)
발명자 / 주소
  • Nagasaka Hiroko (Yokohama JPX) Motegi Nawoto (Kanagawa JPX)
출원인 / 주소
  • Kabushiki Kaisha Toshiba (Kawasaki JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 11  인용 특허 : 2

초록

A compound semiconductor is dry-etched by introducing a plasma-generating gas comprising boron trichloride and chlorine into a plasma generation region which is defined between a cathode for supporting a workpiece comprising a compound semiconductor and an anode opposite thereto. High-frequency elec

대표청구항

A method for preparing a semiconductor light-emitting device including a semiconductor laser and a light-emitting diode, by reactive ion etching of a compound semiconductor comprising the steps of: (a) introducing a plasma-generating gas comprising boron trichloride and chlorine into a plasma genera

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. Butherus Alexander D. (Lebanon NJ) D\Asaro Lucian A. (Madison NJ), Method for etching III-V semiconductors and devices made by this method.
  2. Kravitz Stanley H. (Coopersburg PA) Manocha Ajit S. (Allentown PA) Willenbrock ; Jr. William E. (Manchester Township ; Ocean County NJ), Plasma pretreatment with BCl3 to remove passivation formed by fluorine-etch.

이 특허를 인용한 특허 (11)

  1. Kotaki Masahiro (Nagoya JPX) Hashimoto Masafumi (Nagoya JPX), Dry etching method for semiconductor.
  2. Oguri Hiroyuki,JPX ; Yokoyama Teruo,JPX, Heterojunction compound semiconductor device and method of manufacturing the same.
  3. Oguri Hiroyuki,JPX ; Yokoyama Teruo,JPX, Heterojunction compound semiconductor device and method of manufacturing the same.
  4. Nam,Peter S.; Lange,Michael D.; Tsai,Roger S., Method for etching mesa isolation in antimony-based compound semiconductor structures.
  5. Suzuki Naofumi,JPX, Method for fabricating a semiconductor optical device.
  6. Behfar-Rad Abbas (Ithaca NY) Wong S. Simon (Ithaca NY), Method of making travelling wave semi-conductor laser.
  7. Van Roosmalen Alfred J. (Eindhoven NLX) Van Arendonk Anton P. M. (Eindhoven NLX), Method of manufacturing a semiconductor device by plasma etching of a double layer.
  8. Takeyasu Nobuyuki (Chiba JPX) Yamamoto Hiroshi (Chiba JPX) Kawano Yumiko (Chiba JPX) Kondoh Eiichi (Chiba JPX) Katagiri Tomoharu (Chiba JPX) Ohta Tomohiro (Urayasu JPX), Method of manufacturing semiconductor device having multilevel interconnection structure.
  9. Galvin Gregory J. ; Davis Timothy J. ; MacDonald Noel C., Microelectromechanical accelerometer for automotive applications.
  10. Galvin Gregory J. ; Davis Timothy J. ; MacDonald Noel C., Micromechanical accelerometer for automotive applications.
  11. Takeyasu Nobuyuki,JPX ; Yamamoto Hiroshi,JPX ; Kawano Yumiko,JPX ; Kondoh Eiichi,JPX ; Katagiri Tomoharu,JPX ; Ohta Tomohiro,JPX, Semiconductor device having a multilevel interconnection structure.
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