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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0664965 (1984-10-26) |
우선권정보 | JP-0224077 (1983-11-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 2 |
A compound semiconductor is dry-etched by introducing a plasma-generating gas comprising boron trichloride and chlorine into a plasma generation region which is defined between a cathode for supporting a workpiece comprising a compound semiconductor and an anode opposite thereto. High-frequency elec
A method for preparing a semiconductor light-emitting device including a semiconductor laser and a light-emitting diode, by reactive ion etching of a compound semiconductor comprising the steps of: (a) introducing a plasma-generating gas comprising boron trichloride and chlorine into a plasma genera
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