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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0644410 (1984-08-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 0 |
A single-ended, bandpass, two stage monolithic (integrated) medium power amplifier is disclosed. The first stage of the amplifier includes a field effect transistor (FET) amplifier having a gate width of about 900 microns and the second stage a “split”field effect transistor (FET), i.e. two parallel
An improved microwave power amplifier comprising a GaAs substrate and an integrated circuit formed on the substrate, said integrated circuit containing: (a) an RF input terminal for receiving RF energy: (b) a load matching circuit means operatively connected to the RF input terminal for matching a l
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