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[미국특허] Low particulate vacuum chamber input/output valve 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/306
  • B44C-001/22
  • C03C-015/00
  • C23F-001/02
출원번호 US-0663908 (1984-10-22)
발명자 / 주소
  • Johnson Randall E. (Carrollton TX) Peters Louis E. (Dallas TX) Simmons Lowell E. (Garland TX)
출원인 / 주소
  • Texas Instruments Incorporated (Dallas TX 02)
인용정보 피인용 횟수 : 13  인용 특허 : 5

초록

A low particulate vacuum chamber semiconductor wafer input/output valve minimizes the particulate generation by taking advantage of a camming motion at the instant of closing to insure that the valve closes normal to the reaction chamber wall. This eliminates any friction between a glandular seal in

대표청구항

An apparatus for the manufacturing of semiconductor devices from semiconductor wafers having a plurality of semiconductor circuit patterns on at least a reacting surface of the semiconductor wafer, the apparatus comprises: reacting means for providing a stream of reacting gases to react with the sem

이 특허에 인용된 특허 (5) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Hijikata Isamu (Tokyo JPX) Uehara Akira (Yokohama JPX) Nakane Hisashi (Kawasaki JPX), Apparatus for the treatment of semiconductor wafers by plasma reaction.
  2. Hajj John G. (Amesbury MA), Automatically loadable multifaceted electrode with load lock mechanism.
  3. Davies John T. (El Sobrante CA) Reichelderfer Richard F. (Castro Valley CA), Computer controlled system for processing semiconductor wafers.
  4. Kohman Wayne E. (Wilton CT) Maleri Joseph E. (Bridgeport CT), Load-lock vacuum chamber.
  5. Class Walter H. (Yonkers NY) Hurwitt Steven D. (Park Ridge NJ) Hill Michael L. (New York NY) Hutt Marvin K. (Oakland NJ), Magnetically enhanced plasma process and apparatus.

이 특허를 인용한 특허 (13) 인용/피인용 타임라인 분석

  1. Hosokawa Akihiro ; Demaray Richard Ernest ; Inagawa Makoto ; Mullapudi Ravi ; Halsey Harlan L. ; Starr Michael T., Automated substrate processing systems and methods.
  2. French ; Jr. Norman L., Circuit and apparatus for verifying a chamber seal, and method of depositing a material onto a substrate using the same.
  3. Norman L. French, Jr., Circuit and apparatus for verifying a chamber seal, and method of depositing a material onto a substrate using the same.
  4. Komoto, Shinji; Nozawa, Toshihisa, Gate valve and semiconductor manufacturing apparatus.
  5. Yokogawa, Ken'etsu; Miyake, Masatoshi, Heat treatment apparatus that performs defect repair annealing.
  6. Kobayashi, Yoshiaki, Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device including elimination of static charge of a treated wafer.
  7. Kobayashi,Yoshiaki, Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device with elimination of static charge.
  8. Brown Karl, Monitoring of wafer presence and position in semiconductor processing operations.
  9. Azumano Hidehito,JPX ; Kinase Atsushi,JPX ; Kogure Kimio,JPX ; Komatsu Hisataka,JPX, Robot apparatus and treating apparatus.
  10. Jeon Jae-sun,KRX ; Kim Won-yeong,KRX ; Yang Yun-mo,KRX ; Chae Seung-ki,KRX, Semiconductor device manufacturing apparatus employing vacuum system.
  11. Kobayashi,Yoshiaki, Semiconductor integrated circuit device manufacturing method including static charge elimination.
  12. Tezuka,Kazuyuki; Koizumi,Hiroshi; Moriya,Tsuyoshi; Nakayama,Hiroyuki, Substrate processing apparatus and substrate transferring method.
  13. Freerks Frederik W. ; Berken Lloyd M. ; Crithfield M. Uenia ; Schott David ; Rice Michael ; Holtzman Michael,ILX ; Reams William ; Giljum Richard ; Reinke Lance ; Booth John S., Wafer position error detection and correction system.

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