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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0863929 (1986-05-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 9 |
Process and apparatus are disclosed for forming excellent quality, large area thin films essentially without discontinuities and inhomogenuities, particularly for photovoltaic solar cells. The reactants are conducted past a heated substrate in a relatively thin gap, e.g., 0.030 inch, in a turbulent
A method of forming a thin film on a substrate comprising the steps of conducting one or more reactants in gaseous or atomized nebuli form from which the film is to be formed in a turbulent flow past the substrate in a contacting relationship therewith through a reaction gap having a thickness of le
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