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특허 상세정보

Thin GaAs solar cell structures

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) H01L-031/06   
미국특허분류(USC) 136/262 ; 357/30
출원번호 US-0918585 (1986-10-09)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 5  인용 특허 : 2
초록

A process for fabricating layered semiconductor structures, particularly thin gallium arsenide solar cells, on reusable substrates. The structure is fabricated by depositing a selectively removable layer such as gallium aluminum arsenide onto a substrate, and then depositing a solar cell basic structure on the selectively removable layer. Preferably, the solar cell basic structure includes a layer of p-type gallium arsenide on the layer of gallium aluminum arsenide, a layer of n-type gallium arsenide on the p-type gallium arsenide, and a transparent glas...

대표
청구항

A solar cell, comprising: a layer of p-type gallium arsenide haviang a thickness of not greater than about 0.5 micrometers; a layer of n-type gallium arsenide, said layer of p-type gallium arsenide and the layer of n-type gallium arsenide together constituting an active semiconductor solar cell; a glass cover in contact with said active semiconductor solar cell, said solar cell having no charge recombination inhibitory layer in contact with said layer of p-type gallium arsenide.