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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | H01L-031/06 |
미국특허분류(USC) | 136/262 ; 357/30 |
출원번호 | US-0918585 (1986-10-09) |
발명자 / 주소 | |
출원인 / 주소 | |
인용정보 | 피인용 횟수 : 5 인용 특허 : 2 |
A process for fabricating layered semiconductor structures, particularly thin gallium arsenide solar cells, on reusable substrates. The structure is fabricated by depositing a selectively removable layer such as gallium aluminum arsenide onto a substrate, and then depositing a solar cell basic structure on the selectively removable layer. Preferably, the solar cell basic structure includes a layer of p-type gallium arsenide on the layer of gallium aluminum arsenide, a layer of n-type gallium arsenide on the p-type gallium arsenide, and a transparent glas...
A solar cell, comprising: a layer of p-type gallium arsenide haviang a thickness of not greater than about 0.5 micrometers; a layer of n-type gallium arsenide, said layer of p-type gallium arsenide and the layer of n-type gallium arsenide together constituting an active semiconductor solar cell; a glass cover in contact with said active semiconductor solar cell, said solar cell having no charge recombination inhibitory layer in contact with said layer of p-type gallium arsenide.