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Image forming member for elecrophotography 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G03G-005/082
  • G03G-005/14
출원번호 US-0923027 (1986-10-24)
우선권정보 JP-0035313 (1979-03-26)
발명자 / 주소
  • Inoue Eiichi (Tokyo JPX) Shimizu Isamu (Yokohama JPX) Komatsu Toshiyuki (Yokohama JPX)
출원인 / 주소
  • Canon Kabushiki Kaisha (Tokyo JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 5  인용 특허 : 10

초록

An image-forming member for electrophotography comprises a photoconductive layer including as constituting layers, a hydrogenated amorphous silicon layer and an amorphous inorganic semiconductor layer. The amorphous inorganic semiconductor layer is laminated on the hydrogenated amorphous silicon lay

대표청구항

An image-forming member for electrophotography comprising a substrate, a hydrogenated amorphous silicon layer containing from 1 to 40 atomic percent of hydrogen and an amorphous inorganic semiconductor layer composed of an amorphous inorganic semiconductor having band gap eg larger than band gap Eg

이 특허에 인용된 특허 (10)

  1. Ovshinsky Stanford R. (Bloomfield Hills MI) Izu Masatsugu (Birmingham MI), Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors.
  2. Ovshinsky Stanford R. (Bloomfield Hills MI) Madan Arun (Rochester MI), Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process.
  3. Horgan Anthony M. (Pittsford NY), Composite layered photoreceptor.
  4. Fukuda Tadaji (Toride JPX) Kajita Isamu (Yokohama JPX) Misumi Teruo (Toride JPX) Kondo Hideyo (Toride JPX) Kitajima Nobuo (Toride JPX), Electrophotographic photosensitive member having no fatigue effect.
  5. Shimizu Isamu (Yokohama JPX) Shirai Shigeru (Yamato JPX) Inoue Eiichi (Tokyo JPX), Photoconductive member with a 상세보기
  • Shimizu Isamu (Yokohama JPX) Shirai Shigeru (Yamato JPX) Inoue Eiichi (Tokyo JPX), Photoconductive member with two amorphous silicon layers.
  • Chevallier Jacques P. (Maurepas CA FR) Guarnieri Charles R. (San Jose CA) Onton Aare (Saratoga CA) Wieder Harold (Saratoga CA), Photoconductor for GaAs laser addressed devices.
  • Kempter Karl (Munich DEX), Printing drum for an electrostatic imaging process with a doped amorphous silicon layer.
  • Huffman William A. (Minneapolis MN) Birkeland Stephen P. (White Bear Lake MN) O\Leary Kevin P. (Roseville MN), Semiconductive and sensitized photoconductive compositions.
  • Carlson David Emil (Yardley PA), Semiconductor device having a body of amorphous silicon.
  • 이 특허를 인용한 특허 (5)

    1. Li, Jiutao, Agglomeration elimination for metal sputter deposition of chalcogenides.
    2. Elabd Hammam, Broadband multicolor photon counter for low light detection and imaging.
    3. Watanabe Masao,JPX, Electrophotographic photoreceptor and an image forming method using the same.
    4. Komatsu Toshiyuki (Yokohama JPX) Hirai Yutaka (Tokyo JPX) Nakagawa Katsumi (Tokyo JPX) Osada Yoshiyuki (Yokosuka JPX) Omata Satoshi (Tokyo JPX) Nakagiri Takashi (Tokyo JPX), Semiconductor element.
    5. Street Robert A. (Palo Alto CA) Kazan Benjamin (Los Altos CA), Solid state radiation sensor array panel.
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