[특허]Infiltration of material with silicon

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C04B-035/70
출원번호	US-0759814 (1985-07-29)
발명자 / 주소	Morelock Charles R. (Saratoga Springs NY)
출원인 / 주소	General Electric Company (Schenectady NY 02)
인용정보	피인용 횟수 : 19 인용 특허 : 0

초록 ▼

A process for producing a composite by embedding a porous body at least partly composed of a substance which reacts with silicon in a powder mixture composed of silicon and hexagonal boron nitride powder, heating the resulting structure to a temperature at which the silicon is fluid and infiltrating

대표청구항 ▼

A process for infiltrating a porous body with silicon to form a composite which consists essentially of providing a material wherein at least about 5% by volume of said material comprises a component which reacts with silicon, said component being selected from the group consisting of elemental carbon, a metal and a mixture thereof, said material having a melting point higher than that of said silicon, forming a porous body of said material having an open porosity ranging from greater than about 10% by volume to about 90% by volume of said body, contacting said body with a mixture consisting essentially of silicon powder and hexagonal boron nitride powder wherein said silicon powder ranges in amount from greater than about 10% by volume to less than about 90% by volume of said mixture, heating the resulting structure in a nonoxidizing partial vacuum to an infiltration temperature at which said silicon is fluid but below the melting point of said material, and infiltrating said fluid silicon into said porous body forming said composite leaving a porous deposit of hexagonal boron nitride on said composite, said partial vacuum being at least sufficient to remove gas from said porous body which blocks said infiltrating fluid silicon.

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