[특허]Method for patterning PLZT thin films

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	B44C-001/22 C03C-015/00 C03C-025/06 C23F-001/02
출원번호	US-0057099 (1987-06-02)
발명자 / 주소	Asselanis Dino (Rio Rancho NM) Mancha Sylvia D. (Albuquerque NM)
출원인 / 주소	Krysalis Corporation (Albuquerque NM 02)
인용정보	피인용 횟수 : 30 인용 특허 : 0

초록 ▼

A method for etching thin films of compostions from the PLZT family which have been deposited on substrates. The film is coated with a photosensitive material which is developed by photolithographic techniques to form a photoresist mask upon the film layer, the photoresist material having a predetermined pattern. The thin film coated substrate with the developed photoresist mask is immersed in a dilute etching solution containing hydrochloric acid and fluorine ion donor for a period of time sufficient to etch that portion of the thin film layer not covered with the developed photoresist, removing the thin film coated substrate after it has been etched, rinsing the substrate and then immersing the substrate in a second etching solution containing a dilute solution of a lead solubilizing medium such as nitric acid, or acetic for a period of time sufficient to remove lead residue remaining from the first etching step. The resulting product is a thin film coated substrate having the desired pattern of thin film in a predetermined configuration for use in an integrated circuit.

대표청구항 ▼

A method for etching a sintered film of a composition from the PLZT family of films comprising: (a) immersing a substrate which has a processed photoresist mask having a predetermined pattern covering the sintered film of a composition from the PLZT family, in a dilute etching solution containing from about 62% to about 99.4% water by volume and about 0.35% to about 35% by volume hydrochloric acid, and from 0.02% to 14% of a fluorine ion donor by volume, for a period of time sufficient to etch that portion of said sintered film not covered with the patterned photoresist layer for a period of time sufficient to remove substantially all the sintered film not covered by the patterned photoresist material; (b) removing said substrate from said dilute solution of hydrochloric acid and fluorine ion donor acid; and (c) immersing the substrate from step (b) into a dilute solution of a lead solublizing medium for a sufficient period of time to remove residue remaining after the etching of step (b).

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