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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0918186 (1986-10-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 29 인용 특허 : 0 |
A technique is disclosed for making the high current-carrying electrical interconnections to the power FET devices in a synchronous rectifier circuit with extremely low lead resistance. All such interconnections are made with solder and pliable copper straps instead of by conventional wire bonds.
A synchronous rectifier device comprising: an electrically conductive case; at least one power transistor having a drain region, a source region and a gate region; an electrically conductive substrate layer applied to said transistor in electrical contact with said drain region thereof, said substra
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