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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0922510 (1986-10-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 36 인용 특허 : 5 |
The insulating and stabiity characteristics of silicon dioxide gate oxide insulator for field effect transistors are enhanced by subjecting the silicon dioxide to an annealing in an ambient that contains a gaseous oxygen-containing species in an amount sufficient to provide a partial pressure from t
A process for enhancing the insulating and stability characteristics of SiO2 insulator for a field-effect transistor semiconductor device which comprises providing a silicon dioxide layer on a substrate, and then annealing; wherein the annealing includes providing an ambient containing gaseous oxyge
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