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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0087264 (1987-08-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 98 인용 특허 : 1 |
One or more thin film solar cells in which the intrinsic layer of substantially amorphous semiconductor alloy material thereof includes at least a first band gap portion and a narrower band gap portion. The band gap of the intrinsic layer is spatially graded through a portion of the bulk thickness,
A solar cell including at least one layer of thin film substantially amorphous intrinsic semiconductor alloy material; said intrinsic layer characterized by at least a first portion of the thickness thereof having a bandgap and a second portion of the thickness thereof having a second bandgap narrow
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