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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0019252 (1987-02-26) |
우선권정보 | JP-0047410 (1986-03-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 6 |
Silicon nitride sintered bodies are disclosed herein which each contain an intergranular phase. The intergranular phase contained in the sintered body is crystallized into diopside structure type crystals and apatite structure type crystals. The silicon nitride sintered bodies have excellent density
A silicon nitride sintered body containing an intergranular phase, said intergranular phase being substantially crystallized into diopside structure type crystals and apatite structure type crystals, wherein the diopside structure is M1M2M32M46 in which M1 is at least one element selected from the g
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