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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0182378 (1988-04-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 44 인용 특허 : 9 |
A switch device for one-time use in conducting very high currents comprising a silicon substrate on which is deposited a amorphous silicon or polysilicon strip extending as a bridge between first and second spaced-apart metal contacts deposited on the silicon substrate. Also deposited on the same su
An integrated circuit device for switching high currents, comprising: (a) a silicon chip substrate having first and second pairs of conductive contacts deposited on at least one surface of said substrate, said contacts being spaced apart along two mutually perpendicular axes; (b) a strip of material
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