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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0080890 (1987-08-03) |
우선권정보 | GB-0020031 (1986-08-18); GB-0014380 (1987-06-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 6 |
It is desirable to be able to sense the temperature of a semiconductor element to detect, for example, overheating of that element. A temperature sensing apparatus is disclosed which comprises a polysilicon device, functioning as a temperature transducer and integrated with a semiconductor element.
Temperature sensing apparatus comprising a substrate, a semiconductor element on the substrate; at least one semiconductor device on the substrate for sensing the temperature of the semiconductor element; and means providing both electrical isolation and thermal contact between the device and the el
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