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(110) Oriented silicon wafer latch accelerometer and process for forming the same 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • B32B-003/10
  • G01P-015/00
  • H01L-021/306
  • B44C-001/22
출원번호 US-0250591 (1988-09-29)
발명자 / 주소
  • Ciarlo Dino R. (Livermore CA)
출원인 / 주소
  • The United States of America as represented by the United States Department of Energy (Washington DC 06)
인용정보 피인용 횟수 : 27  인용 특허 : 5

초록

A method for etching a (110) silicon wafer to produce latching cantilever beams, which bend parallel to the surface of the wafer. The resulting apparatus is also part of the invention.

대표청구항

An apparatus, comprising: a (110) silicon wafer with a thickness, comprising: a frame; a first cantilever beam, with a first end attached to the frame and a second end, which is a free end which is not attached to the frame, and with a length dimension from the first end to the second end, and a thi

이 특허에 인용된 특허 (5)

  1. Aine Harry E. (8601 Signal Ridge Rd. Philo CA 95466), Batch method of making miniature capacitive force transducers assembled in wafer form.
  2. Motamedi Manouchehr E. (Thousand Oaks CA), Method of fabricating a cantilever beam for a monolithic accelerometer.
  3. Aine Harry E. (30600 Page Mill Rd. Los Altos CA 94022) Block Barry (30610 Page Mill Rd. Los Altos CA 94022), Method of undercut anisotropic etching of semiconductor material.
  4. Delapierre Gilles (Seyssins FRX), Process for the production of a piezoresistive gauge and to an accelerometer incorporating such a gauge.
  5. Aine Harry E. (8601 Signal Ridge Rd. ; Box 304 Philo CA 95466) Block Barry (30610 Page Mill Rd. Los Altos CA 94022), Solid state transducer and method of making same.

이 특허를 인용한 특허 (27)

  1. Yamashita Mitsuhiro,JPX ; Esashi Masayoshi,JPX, Angular rate sensor and acceleration sensor.
  2. Kota Sridhar ; Rodgers M. Steven ; Hetrick Joel A., Compliant displacement-multiplying apparatus for microelectromechanical systems.
  3. Watters, David G.; Huestis, David L.; Bahr, Alfred J.; Vidmar, Robert J., Event-recording devices with identification codes.
  4. Westby, Eskild, Excitation in micromechanical devices.
  5. Carr William N., Latching microaccelerometer.
  6. Mikkor Mati (Ann Arbor MI), Method for fabricating a silicon accelerometer responsive to three orthogonal force components.
  7. Ishio Seiichiro,JPX ; Ao Kenichi,JPX, Method for producing a semiconductor.
  8. Tsang Robert W. K. (Bedford MA) Core Theresa A. (North Andover MA), Methods for fabricating monolithic device containing circuitry and suspended microstructure.
  9. Lee, Whonchee; Fucsko, Janos; Wells, David H., Methods of etching single crystal silicon.
  10. Wells, David H.; Manning, H. Montgomery, Methods of fabricating intermediate semiconductor structures by selectively etching pockets of implanted silicon.
  11. Fucsko, Janos; Wells, David H.; Flynn, Patrick; Lee, Whonchee, Methods of forming single crystal silicon structures and semiconductor device structures including single crystal silicon structures.
  12. Fucsko, Janos; Wells, David H.; Flynn, Patrick; Lee, Whonchee, Methods of shaping vertical single crystal silicon walls and resulting structures.
  13. Muramatsu Hiroshi,JPX, Micromachining method and micromachined structure.
  14. Mehregany Mehran ; Goldman Kenneth G. ; Dhuler Vijayakumar R., Micromechanical memory sensor.
  15. Mehregany Mehran ; Goldman Kenneth G. ; Dhuler Vijayakumar R., Micromechanical memory sensor.
  16. Robinson Charles H., Miniature, planar, inertially-damped, inertially-actuated delay slider actuator.
  17. Tsang Robert W. K. ; Core Theresa A. ; Sherman Steven J. ; Brokaw A. Paul, Monolithic micromechanical apparatus with suspended microstructure.
  18. Tsang Robert W. K. ; Core Theresa A. ; Sherman Steven J. ; Brokaw A. Paul, Monolithic micromechanical apparatus with suspended microstructure.
  19. Lee, Whonchee; Fucsko, Janos; Wells, David H., Semiconductor structures including square cuts in single crystal silicon.
  20. Lee, Whonchee; Fucsko, Janos; Wells, David H., Semiconductor structures including square cuts in single crystal silicon and method of forming same.
  21. Wells, David H.; Manning, H. Montgomery, Semiconductor substrates with undercut structures.
  22. Watters, David G.; Huestis, David L.; Bahr, Alfred J.; Priyantha, Namal; Jayaweeera, Palitha, Sensor devices for structural health monitoring.
  23. Naumann, Michael, Shock sensor with latch mechanism and method of shock detection.
  24. Fucsko, Janos; Wells, David H.; Flynn, Patrick; Lee, Whonchee, Single crystal silicon structures.
  25. Robinson Charles H. ; Wood Robert, Ultra-miniature, monolithic, mechanical safety-and-arming (S&A) device for projected munitions.
  26. Lee, Whonchee; Fucsko, Janos; Wells, David H., Wet etch suitable for creating square cuts in si.
  27. Watters, David G.; Huestis, David L.; Bahr, Alfred J., Wireless event-recording device with identification codes.
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