[특허]TFEL device having multiple layer insulators

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IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H05B-033/12
출원번호	US-0221440 (1988-07-19)
발명자 / 주소	Sun Sey-Shing (Beaverton OR)
출원인 / 주소	Planar Systems, Inc. (Beaverton OR 02)
인용정보	피인용 횟수 : 26 인용 특허 : 4

초록 ▼

A structure for a thin-film electroluminescent (TFEL) device includes an EL phosphor layer sandwiched between a pair of insulator stacks, at least one of the stacks including a thin layer of silicon oxynitride in direct contact with the last grown side of the phosphor layer and a second thicker layer of barium tantalate. The silicon oxynitride layer has high resistivity, and when combined with a second insulator having a high dielectric constant, such as barium tantalate, produces an increase in luminance of the phosphor layer at conventional voltages. Both insulator stacks may include a silicon oxynitride layer, but this layer is in contact only with the last grown side of the EL phosphor layer. On the other side of the EL phosphor layer the high dielectric constant layer lies between the silicon oxynitride and the EL phosphor layer.

대표청구항 ▼

A thin film electroluminescent laminate comprising: (a) a thin film layer of electroluminescent material; (b) a first insulator stack comprising a high capacitance insulator layer and a thin film layer of silicon oxynitride, the silicon oxynitride layer being placed in contact with a first side of the thin film layer of electroluminescent material; and (c) a second insulator stack situated on a second side of the layer of thin film electroluminescent material opposite the first insulator stack and comprising a high capacitance insulator layer placed in contact with said second side of said thin film layer of electroluminescent material and a layer of silicon oxynitride.

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