최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0355574 (1989-05-23) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 57 인용 특허 : 4 |
A method for etching vias having sloped sidewalls is provided, wherein the vias are formed in an interlayer dielectric formed on top of an interconnect layer using a patterned photoresist film as a mask. A top portion of the via is formed with a wet etch process which isotropically undercuts the mas
A method for making electrical contact between a first conductive layer and a second conductive layer of a semiconductor device wherein an insulating layer separates the first conductive layer and the second conductive layer, the method comprising the steps of: forming a masking film with a predeter
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.