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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0226106 (1988-07-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 57 인용 특허 : 10 |
A silicon-on-insulator MOS transistor is disclosed which has contact regions on both the source and drain sides of the gate electrode for potentially making contact to the body node from either side. Each contact region is of the same conductivity type as the body node, (for example, a p-type region
A method of fabricating a transistor in a semiconductor layer overlying an insulating film, comprising: defining an active portion of said semiconductor layer of a first conductivity type; forming a gate electrode over said active portion; applying a first mask layer over said active portion to prot
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