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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0090210 (1987-08-27) |
우선권정보 | JP-0154069 (1983-08-25) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 29 인용 특허 : 3 |
A semiconductor integrated circuit includes an insulated-gate transistor serving as a driving transistor and composed of source and drain regions of one conductivity type with a high impurity concentration, a channel region disposed between the source and drain regions, an insulating layer covering
A semiconductor integrated circuit comprising an insulated-gate transistor serving as a driving transistor and composed of source and drain regions of one conductivity type and a high impurity concentration, a channel region disposed between said source and drain regions, an insulating layer coverin
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