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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0258112 (1988-10-14) |
우선권정보 | JP-0222593 (1985-10-05) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 41 인용 특허 : 3 |
A device equivalent to a wafer-scale integrated device is achieved by employing multiple IC chips installed on a silicon wafer. For fabricating the device, conventional IC chips of necessary different types are prepared, having their aluminum-wired surfaces coated with a silicon nitride film. These
A semiconductor wafer-scale integrated device including interconnected multiple semiconductor chips on each of which an integrated circuit (IC) is fabricated, comprising: a plurality of integrated circuit chips, each of said integrated circuit chips having a first electrically conductive layer wirin
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