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Neutron transmutation doping of a silicon wafer 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/00
  • H01L-021/02
  • H01L-021/26
  • H01L-021/263
출원번호 US-0136851 (1987-12-22)
우선권정보 JP-0010552 (1986-04-30); JP-0010553 (1986-04-30); JP-0288372 (1986-12-03)
발명자 / 주소
  • Takasu Shin\ichiro (Tokyo JPX) Ohwa Michihiro (Kunitachi JPX) Kashima Kazuhiko (Yokohama JPX) Toji Eiichi (Machida JPX) Homma Kazumoto (Sagamihara JPX)
출원인 / 주소
  • Toshiba Ceramics Co., Ltd. (Tokyo JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 8  인용 특허 : 11

초록 ▼

A silicon wafer and a method of producing a silicon wafer comprising a phosphor-doping method of doping phosphor into a single silicon crystals by transmuting isotope Si30 contained in said single silicon crystals made by the CZ method or the MCZ method into p31 under neutron irradiation to said sin

대표청구항 ▼

A method of producing a P-doped silicon wafer, comprising the steps of: preparing a single silicon crystal made by the MCZ method and having an oxygen content within a range from 5×1016 atoms/cm3 to 10×1017 atoms/cm3, and doping phosphor into said crystal by transmuting isotope Si30 contained in sai

이 특허에 인용된 특허 (11)

  1. Goodman Alvin M. (Princeton Township ; Mercer County NJ) Goodman Lawrence A. (Plainsboro NJ) Russell John P. (Hopewell Township ; Mercer County NJ) Robinson Paul H. (Lawrence Township ; Mercer County, Method for increasing the switching speed of a semiconductor device by neutron irradiation.
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  2. Meinders Horst (Reutlingen DEX), Method for manufacturing a semiconductor element utilizing thermal neutron irradiation and annealing.
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  3. Sun Yen S. E. (Los Altos CA), Method of controlling leakage currents and reverse recovery time of rectifiers by hot electron irradiation and post-anne.
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  4. Arndt Heinz-Herbert (Taufkirchen DT) Burtscher Joachim (Munich DT) Fischer Gustav (Nurnberg DT) Haas Ernst (Erlangen DT) Martin Joachim (Erlangen DT) Raab Gunter (Erlangen DT) Schnoeller Manfred (Hai, Method of doping a semiconductor layer.
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  5. Pau Louis F. (Grand-Lancy CHX), Method of examining and testing an electric device such as an integrated or printed circuit.
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  6. Sugano Takuo (Tokyo JPX) Vu Ho Q. (Tokyo JPX), Method of making semiconductor MOSFET device by bombarding with radiation followed by beam-annealing.
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  7. Reuschel Konrad (Vaterstetten DT) Schnoeller Manfred (Haimhausen DT) Muehlbauer Alfred (Sauerlach DT) Spenke Eberhard (Pretzfeld DT) Keller Wolfgang (Munich DT), Method of producing homogeneously doped n-type Si monocrystals and adjusting dopant concentration therein by thermal neu.
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  8. Voss Peter (Munich DEX), Method of restoring Si crystal lattice order after neutron irradiation.
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  9. Cleland ; John W. ; Westbrook ; Russell D. ; Wood ; Richard F. ; Young ; Rosa T., Polycrystalline silicon semiconducting material by nuclear transmutation doping.
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  10. Herzer Heinz (Burghausen DEX), Process for decreasing crystal damages in the production of n-doped silicon by neutron bombardment.
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  11. Felice Patrick E. (Hempfield Township ; Westmoreland County PA) Bartko John (Monroeville PA) Tarneja Krishan S. (Pittsburgh PA) Chu Chang K. (Pittsburgh PA), Reducing the switching time of semiconductor devices by neutron irradiation.
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이 특허를 인용한 특허 (8)

  1. Fritz G. Kirscht ; Peter D. Wildes ; Volker R. Todt ; Nobuo Fukuto ; Boris A. Snegirev ; Seung-Bae Kim, Enhanced n-type silicon material for epitaxial wafer substrate and method of making same.
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  2. Kononchuk, Oleg V.; Koveshnikov, Sergei V.; Radzimski, Zbigniew J.; Weaver, Neil A., High resistivity silicon wafer and method of producing same using the magnetic field Czochralski method.
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  3. Glidden, Steven C.; Sanders, Howard D., Laser pumping of thyristors for fast high current rise-times.
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  4. Liao Chungpin,TWX ; Chao Meihua,TWX, Local penetrating proton beam transmutation doping method for silicon.
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  5. Liao Chungpin,TWX ; Chao Meihua,TWX ; Lan Shan-Ming,TWX, Location selective transmutation doping on silicon wafers using high energy deuterons.
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  6. Liao Chungpin,TWX, Neutron transmutation doping of silicon single crystals.
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  7. Tsvetkov, Valeri F.; Hobgood, Hudson M.; Carter, Jr., Calvin H.; Jenny, Jason R., Semi-insulating silicon carbide produced by Neutron transmutation doping.
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  8. Tsujino Mitsunori,JPX ; Kimura Mikihiro,JPX, Semiconductor device.
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