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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0136851 (1987-12-22) |
우선권정보 | JP-0010552 (1986-04-30); JP-0010553 (1986-04-30); JP-0288372 (1986-12-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 11 |
A silicon wafer and a method of producing a silicon wafer comprising a phosphor-doping method of doping phosphor into a single silicon crystals by transmuting isotope Si30 contained in said single silicon crystals made by the CZ method or the MCZ method into p31 under neutron irradiation to said sin
A method of producing a P-doped silicon wafer, comprising the steps of: preparing a single silicon crystal made by the MCZ method and having an oxygen content within a range from 5×1016 atoms/cm3 to 10×1017 atoms/cm3, and doping phosphor into said crystal by transmuting isotope Si30 contained in sai
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