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특허 상세정보

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Method of preparing whiskers of silicon carbide and other materials

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C01B-031/36   
미국특허분류(USC) 423/345 ; 425/346
출원번호 US-0230747 (1988-08-10)
우선권정보 CA-0544348 (1987-08-12)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 12  인용 특허 : 6
초록
▼

A method of producing whiskers of silicon carbide and other materials. For the formation of silicon carbide, the method involves forming a first reaction zone containing microfine particles of silicon dioxide uniformly mixed with carbon or a carbon precursor, with the ratio of the silicon dioxide to the carbon present as a starting material or derivable from the precursor being greater than about 5 to 1 by weight. A closely adjacent second reaction zone is formed containing a porous fibrous mass of active carbon or an infusible carbon precursor. The reac...

대표
청구항
▼

A method of producing whiskers of silicon carbide, which comprises: forming a first reaction zone containing particles of silicon dioxide having an average size less than about 5 microns uniformly mixed with carbon or a carbon precursor, the ratio of the silicon dioxide to the carbon present as a starting material or derivable from the precursor being greater than about 5 to 1 by weight; forming a closely adjacent second reaction zone containing a porous mass of an infusible carbon precursor or active carbon, said porous mass having a density of less tha...

이 특허에 인용된 특허 (6)

  1. Beatty Ronald L. (Greer SC) Wyman Floyd H. (Mauldin SC). Continuous silicon carbide whisker production. USP1987014637924.
  2. Tanaka Minoru (Kobe JPX) Kawabe Tadashi (Ako JPX) Kobune Masafumi (Ako JPX). Method of manufacturing crystalline silicon carbide. USP1985034504453.
  3. Naito Sachio (Tokyo JPX) Nemoto Toshiyuki (Ichikawa JPX). Odor-removing and deodorizing composition employing a hydrolysate of keratin material. USP1986054591497.
  4. Horne ; Jr. Ottis J. (Johnson City TN) Grindstaff Lloyd I. (Elizabethton TN). Preparation of SiC whiskers. USP1981084284612.
  5. Yoda Yukihiro (Shimonoseki JPX) Horita Makoto (Shimonoseki JPX) Maruyama Kensaku (Shimonoseki JPX) Miyashita Hideaki (Shimonoseki JPX) Murakawa Norihiro (Shimonoseki JPX) Isogaya Kazuyoshi (Tokyo JPX. Process for preparing metal carbides and precursors thereof. USP1988064752456.
  6. Carlson, Walter H.; Zander, Gerald B.; Hanna, George C.; Burmeister, Kevin L.. Production of silicon carbide. USP1985084536379.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 12

  1. Dunn, Michael P.; Dunn, Michael L.. Carbide material by electromagnetic processing. USP2004036699450.
  2. Moy, David; Niu, Chun-Ming. Carbide nanofibrils and method of making same. USP2011017862790.
  3. Moy,David; Niu,Chun Ming. Carbide nanofibrils and method of making same. USP2008077393514.
  4. Quantrille, Thomas E.; Rogers, William M.. Composite materials and devices comprising single crystal silicon carbide heated by electromagnetic radiation. USP2014028648284.
  5. Quantrille, Thomas E.; Rogers, William M.. Composite materials and devices comprising single crystal silicon carbide heated by electromagnetic radiation. USP2017069688583.
  6. Okada Kaoru (Kashiwa JPX) Nakajima Keihachiro (Yokohama JPX). Method of producing silicon carbide fibers. USP1997105676918.
  7. Nakajima Keihachiro,JPX ; Kato Hitoshi,JPX ; Okada Kaoru,JPX ; Kubo Ryoji,JPX. Process for producing silicon carbide fibers. USP1999075922300.
  8. Angier,Derek J.; Rhodes,James F.; Rogers,William M.. Process for producing silicon carbide fibers essentially devoid of whiskers. USP2006087083771.
  9. Okada Kaoru (Kawasaki JPX) Nakajima Keihachiro (Yokohama JPX) Kato Hitoshi (Tokyo JPX). Process for producing silicon carbide material. USP1997045618510.
  10. Grindatto Bernard,FRX ; Jourdan Alex,FRX ; Prin Marie,FRX. Process for the preparation of metal carbides having a large specific surface from activated carbon foams. USP2001046217841.
  11. Angier,Derek J.; Rhodes,James F.; Rogers,William M.. Silicon carbide fibers essentially devoid of whiskers and products made therefrom. USP2006057041266.
  12. Takenaka Takashi (Fujisawa JPX) Mori Shigeto (Chigasaki JPX) Machida Osamu (Odawara JPX). Silicon carbide whisker production apparatus. USP1993115265118.

IPC 상위 출원인