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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0223059 (1988-07-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 8 |
One or more probe cells are use to sense voltage and current accurately and without affecting performance of the switching device (T1) or the load. In addition, power, resistance, and temperature can be determined from the voltage and current. Voltage sensing is accomplished by placing a large value
A power MOSFET comprising: a volume of semiconductor doped to a first conductivity type; first and second pluralities of MOSFET cells formed in respective first and second regions of said semiconductor volume, each MOSFET cell having a region doped to a second conductivity type opposite said first c
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