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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0250947 (1988-09-29) |
우선권정보 | DE-3732805 (1987-09-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 1 |
The invention provides an ion barrier formed of a high-purity electroplated aluminum layer (purity >99.99%) which preferably has a thickness of 10 to 20 mIX.2AlR3.nLsm, wherein MI is an alkali metal ion or a quaternary onium ion, X is a halogen ion, preferably F-or Cl-, R is an alkyl radical, prefer
A method for the production of an ion barrier layer on a surface of a metallic material or on an electroconductive surface of a nonmetallic material, comprising the step of electrodepositing an aluminum layer on the surface of the metallic material or on the electroconductive surface of the nonmetal
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