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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0287017 (1988-12-21) |
우선권정보 | JP-0333733 (1987-12-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 24 인용 특허 : 0 |
Silicon nitride films are formed by controlling the internal stress more precisely than conventional methods without varying its optical properties, mechanical strength, composition and density. The film is formed by sputtering, using an inert gas or a mixture of an inert gas and nitrogen, onto a su
A method for forming a silicon nitride film which comprises depositing a silicon nitride film having a preselected amount of internal stress on a substrate by a sputtering method using, as a sputtering gas, an inert gas or a mixed gas of an inert gas and nitrogen gas, said method further comprising,
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