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Method for forming silicon nitride film 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C23C-014/34
출원번호 US-0287017 (1988-12-21)
우선권정보 JP-0333733 (1987-12-29)
발명자 / 주소
  • Kobayashi Masato (Tokyo JPX) Yamaguchi Yoichi (Tokyo JPX)
출원인 / 주소
  • Hoya Corporation (Tokyo JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 24  인용 특허 : 0

초록

Silicon nitride films are formed by controlling the internal stress more precisely than conventional methods without varying its optical properties, mechanical strength, composition and density. The film is formed by sputtering, using an inert gas or a mixture of an inert gas and nitrogen, onto a su

대표청구항

A method for forming a silicon nitride film which comprises depositing a silicon nitride film having a preselected amount of internal stress on a substrate by a sputtering method using, as a sputtering gas, an inert gas or a mixed gas of an inert gas and nitrogen gas, said method further comprising,

이 특허를 인용한 특허 (24)

  1. Veerasamy, Vijayen S., Coated article with ion treated overcoat layer and corresponding method.
  2. Stern,Lewis; Albright,John, Deposition of tensile and compressive stressed materials.
  3. Tuttle Mark E. (Boise ID) Lake Rickie C. (Eagle ID), Formation methods of opaque or translucent films.
  4. Hartig Klaus W. ; Lingle Philip J., Heat treatable, durable, ir-reflecting sputter-coated glasses and method of making same.
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  6. Brigham Lawrence N. ; Lee Yung-Huei ; Chau Robert S. ; Cotner Raymond E., High tensile nitride layer.
  7. Arafa Mohamed ; Thompson Scott, Integrated circuit with borderless contacts.
  8. Arafa, Mohamed; Thompson, Scott, Integrated circuit with borderless contacts.
  9. Grzegorz Stachowiak, Low-E matchable coated articles and methods of making same.
  10. Grzegorz Stachowiak, Low-E matchable coated articles and methods of making same.
  11. Stachowiak, Grzegorz, Low-E matchable coated articles and methods of making same.
  12. Stachowiak, Grzegorz, Low-E matchable coated articles and methods of making same.
  13. Stachowiak, Grzegorz, Low-E matchable coated articles and methods of making same.
  14. Lingle, Philip J.; Stachowiak, Grzegorz; Larson, Steven L., Matchable low-E I G units and laminates and methods of making same.
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  16. Lingle, Philip J.; Stachowiak, Grzegorz; Larson, Steven L., Method of making matchable low-E I.G units and laminates.
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  20. Takayama, Toru; Yamazaki, Shunpei; Akimoto, Kengo, Silicon nitride film, and semiconductor device.
  21. Rajagopalan, Nagarajan; Han, Xinhai; Yamase, Ryan; Park, Ji Ae; Patel, Shamik; Nowak, Thomas; Cui, Zhengjiang “David”; Naik, Mehul; Park, Heung Lak; Ding, Ran; Kim, Bok Hoen, Silicon nitride passivation layer for covering high aspect ratio features.
  22. Leedy, Glenn J., Stacked integrated memory device.
  23. McTeer, Allen, System and method for sputtering a tensile silicon nitride film.
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