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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0271619 (1988-11-15) |
우선권정보 | JP-0290408 (1987-11-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 3 |
The invention provides a static random access memory wherein the peak value of current flow therethrough upon flash-clearing is minimized. The static random access memory comprises a memory cell array which is divided into a plurality of memory cell groups which are driven at mutually different timi
A static random access memory having a flash clear function which is activated by a flash clear command signal on a control line, comprising: a memory cell array which is divided into a plurality of memory cell groups; a plurality of decoders, each of which is associated with a different one of said
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