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Static random access memory having a flash clear function 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G11C-007/00
출원번호 US-0271619 (1988-11-15)
우선권정보 JP-0290408 (1987-11-17)
발명자 / 주소
  • Araki Shigeo (Kanagawa JPX) Taniguchi Hitoshi (Kanagawa JPX) Suzuki Hiroyuki (Kanagawa JPX) Komatsu Takaaki (Kanagawa JPX)
출원인 / 주소
  • Sony Corporation (Tokyo JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 10  인용 특허 : 3

초록

The invention provides a static random access memory wherein the peak value of current flow therethrough upon flash-clearing is minimized. The static random access memory comprises a memory cell array which is divided into a plurality of memory cell groups which are driven at mutually different timi

대표청구항

A static random access memory having a flash clear function which is activated by a flash clear command signal on a control line, comprising: a memory cell array which is divided into a plurality of memory cell groups; a plurality of decoders, each of which is associated with a different one of said

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. Liou Jiunn-Yau (San Jose CA) Lee May-Lin (Cupertino CA) Kok Moon S. (Milpitas CA) Yu James (San Jose CA) Tam Aloysius T. (Sunnyvale CA), Random access memory device with block reset.
  2. Hidaka Hideto (Hyogo JPX), Semiconductor memory device.
  3. Kai Hajime (Kawasaki JPX) Ochii Kiyofumi (Yokohama JPX), Semiconductor memory device with delayed precharge signals.

이 특허를 인용한 특허 (10)

  1. Nguyen, Dzung, Apparatus and method for reduced peak power consumption during common operation of multi-nand flash memory devices.
  2. Nguyen, Dzung, Apparatus and method for reduced peak power consumption during common operation of multi-nand flash memory devices.
  3. Takahashi, Tsugio; Liang, Zer, Apparatuses and methods for controlling data timing in a multi-memory system.
  4. Takahashi, Tsugio; Liang, Zer, Apparatuses and methods for controlling data timing in a multi-memory system.
  5. Feng Taisheng ; Raatz Donovan, Cache tag RAM having separate valid bit array with multiple step invalidation and method therefor.
  6. Seki Kouichi,JPX ; Tanaka Toshihiro,JPX ; Kume Hitoshi,JPX ; Wada Takeshi,JPX ; Muto Tadashi,JPX, Electrically erasable semiconductor non-volatile memory device having memory cell array divided into memory blocks.
  7. Hennebois Brigitte,FRX ; Monari ; deceased Jean-Yves,FRX ; Monari by Serge,FRX ; Monari ; heirs Claudine,FRX ; Monari ; heir by Philippe,FRX, Method for the erasure of a static RAM and corresponding integrated circuit memory.
  8. Lloyd, Russell, Overwriting memory cells using low instantaneous current.
  9. Rimondi, Danilo; Torelli, Cosimo, Static RAM with flash-clear function.
  10. Saikawa,Mitsuharu; Ogasawara,Shinichi; Kobayashi,Hirotsugu; Shinyu,Tetsuo; Sugimori,Yuji, Video game machine with rotational mechanism.
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