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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0376136 (1989-07-06) |
우선권정보 | JP-0304624 (1987-12-03); JP-0304625 (1987-12-03); JP-0304626 (1987-12-03) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 34 인용 특허 : 6 |
A quartz glass crucible adapted for use in a process for pulling a single crystal semiconductor material having an opaque outer substrate of a quartz glass with a relatively high bubble content and an inner transparent glass layer which is substantially free from bubbles. The crucible is produced wh
A quartz crucible including an opaque quartz glass outer layer containing bubbles of 20 to 250 m20,000 per cm2, and a transparent quartz glass inner layer of 0.3 mm to 3.0 mm in thickness which is integrally formed with said opaque layer and having a smooth inner surface, said transparent layer havi
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