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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0247887 (1988-09-22) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 50 인용 특허 : 3 |
An electrically programmable floating gate transistor useful as a one transistor flash EPROM cell includes a multi-thickness dielectric provided on a substrate. The multi-thickness dielectric limits tunnelling from a floating gate provided on the multi-thickness dielectric to a drain during programm
An electrically programmable and erasable semiconductor device, provided on a substrate, comprising: a drain region provided in the substrate; a source region provided in the substrate, said source region comprising a first lightly doped source region and a second heavily doped source region provide
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