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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0452439 (1989-12-19) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 31 인용 특허 : 10 |
A transparent thin film thermocouple and a method of manufacturing comprising a positive element of indium tin oxide (ITO) and a negative element of indium oxide (In2O3) formed on a surface by reactive sputtering with the elements being electrically joined to form a hot junction for conversion of he
A method for producing a transparent thin film thermocouple on a surface comprising the steps of: forming a thin film element of indium tin oxide (ITO) with an In:Sn weight fraction ratio of 9:1 on said surface by reactive sputtering; and forming a thin film element of indium oxide (In2O3) or ITO wi
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