최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0156274 (1988-02-16) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 2 |
A high-frequency wideband relaxation oscillator utilizing parasitic capacitances of the switching transistors as charging capacitors and capable of being fabricated in both CMOS and NMOS technology. When fabricated in NMOS technology the switching transistors are implemented as charge-enhancement de
A relaxation oscillator utilizing a switching network to charge and discharge at lease one charging capacitance characterized in that said charging capacitance substantially comprises beneficial portions of parasitic capacitance in said switching network and said oscillator further comprises means f
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.